RUC002N05T116

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RUC002N05T116
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3
Specifiche:	1.RUC002N05T116.pdf 2.RUC002N05T116.pdf 3.RUC002N05T116.pdf 4.RUC002N05T116.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	308055 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 308055 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

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Specifiche di RUC002N05T116

Modello di prodotti	RUC002N05T116	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	308055 pcs	Scheda dati	1.RUC002N05T116.pdf 2.RUC002N05T116.pdf 3.RUC002N05T116.pdf 4.RUC002N05T116.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SST3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	200mW (Ta)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Altri nomi	RUC002N05T116DKR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	25pF @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	50V	Descrizione dettagliata	N-Channel 50V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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