SH8M13GZETB

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SH8M13GZETB
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL
Specifiche:	SH8M13GZETB.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	202181 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 202181 pcs

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Specifiche di SH8M13GZETB

Modello di prodotti	SH8M13GZETB	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	202181 pcs	Scheda dati	SH8M13GZETB.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOP
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	29 mOhm @ 7A, 10V
Potenza - Max	2W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	SH8M13GZETBTR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 5V
Tipo FET	N and P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6A, 7A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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