APT60M80L2VRG

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APT60M80L2VRG
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
Specifiche:	APT60M80L2VRG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5942 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5942 pcs

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Specifiche di APT60M80L2VRG

Modello di prodotti	APT60M80L2VRG	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5942 pcs	Scheda dati	APT60M80L2VRG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 5mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	264 MAX™ [L2]
Serie	POWER MOS V®	Rds On (max) a Id, Vgs	80 mOhm @ 32.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	833W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-264-3, TO-264AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	13300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	590nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 65A (Tc) 833W (Tc) Through Hole 264 MAX™ [L2]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	65A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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