SCTWA50N120

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SCTWA50N120
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
Specifiche:	SCTWA50N120.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3781 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3781 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

600 pcs: $9.403

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Specifiche di SCTWA50N120

Modello di prodotti	SCTWA50N120	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3781 pcs	Scheda dati	SCTWA50N120.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	+25V, -10V
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)	Contenitore dispositivo fornitore	HiP247™
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	69 mOhm @ 40A, 20V
Dissipazione di potenza (max)	318W (Tc)	Contenitore / involucro	TO-247-3
temperatura di esercizio	-55°C ~ 200°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 400V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	122nC @ 20V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	20V	Tensione drain-source (Vdss)	1200V
Descrizione dettagliata	N-Channel 1200V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	65A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE L'IMPORTO DELL'ORDINE SUPERIORE A 1.000 USD.
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