STH110N7F6-2

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STH110N7F6-2
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	161909 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 161909 pcs

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Specifiche di STH110N7F6-2

Modello di prodotti	STH110N7F6-2	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	161909 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	H2Pak-2
Serie	STripFET™ F6	Rds On (max) a Id, Vgs	6.3 mOhm @ 55A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	176W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5850pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	68V	Descrizione dettagliata	N-Channel 68V 80A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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