STH110N8F7-2

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STH110N8F7-2
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET
Specifiche:
Condizione di scorta	110825 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 110825 pcs

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Specifiche di STH110N8F7-2

Modello di prodotti	STH110N8F7-2	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	110825 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	H2Pak-2
Serie	STripFET™ F7	Rds On (max) a Id, Vgs	6.6 mOhm @ 55A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	170W (Tc)	Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3200pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	80V
Descrizione dettagliata	N-Channel 80V 110A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount H2Pak-2	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	110A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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