STI23NM60N

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STI23NM60N
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK
Specifiche:	STI23NM60N.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	26642 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 26642 pcs

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Specifiche di STI23NM60N

Modello di prodotti	STI23NM60N	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	26642 pcs	Scheda dati	STI23NM60N.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	I2PAK
Serie	MDmesh™ II	Rds On (max) a Id, Vgs	180 mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2050pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 19A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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