STI24N60M2

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STI24N60M2
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK
Specifiche:	STI24N60M2.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	25427 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 25427 pcs

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1 pcs: $1.419

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Specifiche di STI24N60M2

Modello di prodotti	STI24N60M2	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	25427 pcs	Scheda dati	STI24N60M2.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	I2PAK
Serie	MDmesh™ II Plus	Rds On (max) a Id, Vgs	190 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Altri nomi	497-13775-5
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 100V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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