STL18NM60N

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STL18NM60N
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
Specifiche:	STL18NM60N.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	19411 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 19411 pcs

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Specifiche di STL18NM60N

Modello di prodotti	STL18NM60N	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	19411 pcs	Scheda dati	STL18NM60N.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PowerFlat™ (8x8) HV
Serie	MDmesh™ II	Rds On (max) a Id, Vgs	310 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta), 110W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-PowerVDFN	Altri nomi	497-11847-1
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 50V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 2.1A (Ta), 12A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.1A (Ta), 12A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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