STL25N60M2-EP

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STL25N60M2-EP
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L
Specifiche:	STL25N60M2-EP.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	35374 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di STL25N60M2-EP

Modello di prodotti	STL25N60M2-EP	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	35374 pcs	Scheda dati	STL25N60M2-EP.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.75V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PowerFlat™ (8x8) HV
Serie	MDmesh™ M2-EP	Rds On (max) a Id, Vgs	205 mOhm @ 8A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-PowerVDFN	Altri nomi	497-16249-1
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1090pF @ 100V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 16A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	16A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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