STL26NM60N

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STL26NM60N
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
Specifiche:	STL26NM60N.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	25903 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 25903 pcs

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Specifiche di STL26NM60N

Modello di prodotti	STL26NM60N	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	25903 pcs	Scheda dati	STL26NM60N.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PowerFlat™ (8x8) HV
Serie	MDmesh™ II	Rds On (max) a Id, Vgs	185 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	125mW (Ta), 3W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerVDFN	Altri nomi	497-11207-2
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 50V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 2.7A (Ta), 19A (Tc) 125mW (Ta), 3W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.7A (Ta), 19A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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