TK62N60X,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TK62N60X,S1F
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
Specifiche:	TK62N60X,S1F.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	8406 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 8406 pcs

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Specifiche di TK62N60X,S1F

Modello di prodotti	TK62N60X,S1F	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	8406 pcs	Scheda dati	TK62N60X,S1F.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3.5V @ 3.1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247
Serie	DTMOSIV-H	Rds On (max) a Id, Vgs	40 mOhm @ 21A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	400W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3	Altri nomi	TK62N60X,S1F(S TK62N60XS1F
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6500pF @ 300V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	135nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	Super Junction
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	61.8A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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