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Toshiba Semiconductor and Storage
| Modello di prodotti | TK650A60F,S4X | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS |
| quantità disponibile | 58322 pcs | Scheda dati | TK650A60F,S4X.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 1.16mA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | TO-220SIS |
| Serie | U-MOSIX | Rds On (max) a Id, Vgs | 650 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) | imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack | Altri nomi | TK650A60F,S4X(S TK650A60FS4X TK650A60FS4X(S |
| temperatura di esercizio | 150°C | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1320pF @ 300V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 11A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
| UPS | www.UPS.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
| TNT | www.TNT.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
