FCP25N60N-F102

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FCP25N60N-F102
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
Specifiche:	FCP25N60N-F102.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	10553 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 10553 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

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Specifiche di FCP25N60N-F102

Modello di prodotti	FCP25N60N-F102	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	10553 pcs	Scheda dati	FCP25N60N-F102.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220
Serie	SupreMOS™	Rds On (max) a Id, Vgs	125 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	216W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	Altri nomi	FCP25N60N_F102 FCP25N60N_F102-ND FCP25N60NF102
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3352pF @ 100V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-220	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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TNT	www.TNT.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.

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