FCP360N65S3R0

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FCP360N65S3R0
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	SUPERFET3 650V TO220 PKG
Specifiche:	FCP360N65S3R0.pdf
Condizione di scorta	86576 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 86576 pcs

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Specifiche di FCP360N65S3R0

Modello di prodotti	FCP360N65S3R0	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	SUPERFET3 650V TO220 PKG	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	86576 pcs	Scheda dati	FCP360N65S3R0.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220-3
Serie	SuperFET® III	Rds On (max) a Id, Vgs	360 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	83W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Stato senza piombo	Lead free
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	730pF @ 400V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 10A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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