FCP380N60

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FCP380N60
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V TO220-3
Specifiche:	1.FCP380N60.pdf 2.FCP380N60.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	36799 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 36799 pcs

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Specifiche di FCP380N60

Modello di prodotti	FCP380N60	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V TO220-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	36799 pcs	Scheda dati	1.FCP380N60.pdf 2.FCP380N60.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220-3
Serie	SuperFET® II	Rds On (max) a Id, Vgs	380 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	106W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1665pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 10.2A (Tc) 106W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10.2A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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