DMN6075S-7

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMN6075S-7
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Specifiche:	DMN6075S-7.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	233911 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 233911 pcs

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Specifiche di DMN6075S-7

Modello di prodotti	DMN6075S-7	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	233911 pcs	Scheda dati	DMN6075S-7.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-23
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	85 mOhm @ 3.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	800mW (Ta)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Altri nomi	DMN6075S-7DIDKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	606pF @ 20V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12.3nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-23	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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