DMN60H4D5SK3-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMN60H4D5SK3-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
Specifiche:	DMN60H4D5SK3-13.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS Compliant
Condizione di scorta	394292 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 394292 pcs

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Specifiche di DMN60H4D5SK3-13

Modello di prodotti	DMN60H4D5SK3-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS Compliant
quantità disponibile	394292 pcs	Scheda dati	DMN60H4D5SK3-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-252, (D-Pak)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	4.5 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	41W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	273.5pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8.2nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 2.5A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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