DMTH43M8LPSQ-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMTH43M8LPSQ-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8
Specifiche:	DMTH43M8LPSQ-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	66214 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66214 pcs

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Specifiche di DMTH43M8LPSQ-13

Modello di prodotti	DMTH43M8LPSQ-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	66214 pcs	Scheda dati	DMTH43M8LPSQ-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PowerDI5060-8
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (max) a Id, Vgs	3.3 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.7W (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN	Altri nomi	DMTH43M8LPSQ-13DICT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3.367nF @ 20V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	40V
Descrizione dettagliata	N-Channel 40V 22A (Ta), 100A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	22A (Ta), 100A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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TNT	www.TNT.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.

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