APTGT35DA120D1G

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APTGT35DA120D1G
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	IGBT 1200V 55A 205W D1
Specifiche:	APTGT35DA120D1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5412 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5412 pcs

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Specifiche di APTGT35DA120D1G

Modello di prodotti	APTGT35DA120D1G	fabbricante	Microsemi
Descrizione	IGBT 1200V 55A 205W D1	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5412 pcs	Scheda dati	APTGT35DA120D1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	1200V	Vce (on) (max) a VGE, Ic	2.1V @ 15V, 35A
Contenitore dispositivo fornitore	D1	Serie	-
Potenza - Max	205W	Contenitore / involucro	D1
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)	Termistore NTC	No
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	2.5nF @ 25V
Ingresso	Standard	Tipo IGBT	Trench Field Stop
Descrizione dettagliata	IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 205W Chassis Mount D1	Corrente - Cutoff collettore (max)	5mA
Corrente - collettore (Ic) (max)	55A	Configurazione	Single

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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