DMN2005LP4K-7

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMN2005LP4K-7
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
Specifiche:	DMN2005LP4K-7.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	150642 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 150642 pcs

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Specifiche di DMN2005LP4K-7

Modello di prodotti	DMN2005LP4K-7	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	150642 pcs	Scheda dati	DMN2005LP4K-7.pdf
Vgs (th) (max) a Id	900mV @ 100µA	Vgs (Max)	±10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	X2-DFN1006-3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Dissipazione di potenza (max)	400mW (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	3-XFDFN	Altri nomi	DMN2005LP4KDICT
temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	41pF @ 3V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	N-Channel 20V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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