APT75GP120B2G

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APT75GP120B2G
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
Specifiche:	1.APT75GP120B2G.pdf 2.APT75GP120B2G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3644 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3644 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

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Specifiche di APT75GP120B2G

Modello di prodotti	APT75GP120B2G	fabbricante	Microsemi
Descrizione	IGBT 1200V 100A 1042W TMAX	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3644 pcs	Scheda dati	1.APT75GP120B2G.pdf 2.APT75GP120B2G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	1200V	Vce (on) (max) a VGE, Ic	3.9V @ 15V, 75A
Condizione di test	600V, 75A, 5 Ohm, 15V	Td (on / off) @ 25 ° C	20ns/163ns
di scambio energetico	1620µJ (on), 2500µJ (off)	Serie	POWER MOS 7®
Potenza - Max	1042W	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3 Variant	Altri nomi	APT75GP120B2GMI APT75GP120B2GMI-ND
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso	Standard	Tipo IGBT	PT
carica gate	320nC	Descrizione dettagliata	IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
Corrente - collettore Pulsed (Icm)	300A	Corrente - collettore (Ic) (max)	100A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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